SI1029X-T1-GE3 SC-89-6 VISHAY(威世) 价格优势
互补的N通道和P通道60 V（D-S）MOSFET
特征
•根据IEC 61249-2-21，无卤素
释义
•TrenchFET®功率MOSFET
•占地面积非常小
•高压侧开关
•低导通电阻：
N通道，1.40
P通道，4
•低阈值：±2 V（典型值）
•快速切换速度：15纳秒（典型值）
•栅极-源极ESD保护：2000 V
•符合RoHS指令2002/95/EC
利益
•易于驾驶开关
•低偏移（误差）电压
•低压运行
•高速电路
应用
•更换数字晶体管、电平移位器
•电池供电系统
•电源转换器电路
