TLC272BIDR SOIC-8 运算放大器 价格优惠
特性
微调偏移电压：
TLC277…25°C时最大500 uV，VDD=5 V
输入偏移电压漂移…通常为0.1 uV/月，包括前30天
指定温度范围内的宽电源电压范围：
0°C至70°C…3 V至16 V
-40°C至85°C…4 V至16 V
–55°C至125°C…4 V至16 V
单电源操作
共模输入电压范围延伸至负轨以下（C后缀、I后缀类型）
低噪声…通常在f=1 kHz时为25 nV/Hz
输出电压范围包括负轨
高输入阻抗…1012典型值
ESD保护电路
小轮廓包装选项也可用于磁带和卷盘
设计具有锁存抗扰性
LinCMOS是德州仪器的商标。
说明
TLC272和TLC277精密双运算放大器结合了广泛的输入偏移电压等级，具有低偏移电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用BiFET器件的速度。
这些器件使用德州仪器硅栅LinCMOS™ 该技术提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
极高的输入阻抗、低偏置电流和高转换率使这些高性价比的器件非常适合之前为BiFET和NFET产品保留的应用。有四种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC272（10 mV）到高精度TLC277（500 uV）。这些优点，加上良好的共模抑制和电源电压抑制，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
一般来说，与双极技术相关的许多功能在LinCMOS上可用™ 运算放大器没有双极技术的功率损耗。TLC272和TLC277可轻松设计传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等一般应用。这些设备还具有低压单电源操作，非常适合远程和不可访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
可提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。
设备输入和输出设计为能够承受–100 mA浪涌电流，而不会持续闭锁。
TLC272和TLC277包含内部ESD保护电路，可防止在MIL-STD-883C方法3015.2测试的电压高达2000 V时出现功能故障；然而，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
微调偏移电压：
TLC277…25°C时最大500 uV，VDD=5 V
输入偏移电压漂移…通常为0.1 uV/月，包括前30天
指定温度范围内的宽电源电压范围：
0°C至70°C…3 V至16 V
-40°C至85°C…4 V至16 V
–55°C至125°C…4 V至16 V
单电源操作
共模输入电压范围延伸至负轨以下（C后缀、I后缀类型）
低噪声…通常在f=1 kHz时为25 nV/Hz
输出电压范围包括负轨
高输入阻抗…1012典型值
ESD保护电路
小轮廓包装选项也可用于磁带和卷盘
设计具有锁存抗扰性
LinCMOS是德州仪器的商标。
说明
TLC272和TLC277精密双运算放大器结合了广泛的输入偏移电压等级，具有低偏移电压漂移、高输入阻抗、低噪声和接近通用BiFET器件的速度。
这些器件使用德州仪器硅栅LinCMOS™ 该技术提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
极高的输入阻抗、低偏置电流和高转换率使这些高性价比的器件非常适合之前为BiFET和NFET产品保留的应用。有四种偏置电压等级（C后缀和I后缀类型），从低成本TLC272（10 mV）到高精度TLC277（500 uV）。这些优点，加上良好的共模抑制和电源电压抑制，使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的良好选择。
一般来说，与双极技术相关的许多功能在LinCMOS上可用™ 运算放大器没有双极技术的功率损耗。TLC272和TLC277可轻松设计传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等一般应用。这些设备还具有低压单电源操作，非常适合远程和不可访问的电池供电应用。共模输入电压范围包括负轨。
可提供多种封装选项，包括用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。
设备输入和输出设计为能够承受–100 mA浪涌电流，而不会持续闭锁。
TLC272和TLC277包含内部ESD保护电路，可防止在MIL-STD-883C方法3015.2测试的电压高达2000 V时出现功能故障；然而，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
C后缀装置的特点是可在0°C至70°C范围内运行。I-后缀装置的特点是可在-40°C至85°C的温度范围内运行。M后缀装置的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内运行。
