规格信息:
Rohs:无铅/符合Rohs
标准包装:2,500
配置 :高侧和低侧,独立
输入型 :非反转
延迟时间 :160ns
电流 - 峰值:210毫安
配置数:1.
输出数 :2.
高压侧电压 - 马克斯(引导):600V
- 电源电压:10V~20V
操作温度 :-40°C~125°C
安装类型 :表面贴装
包/盒 :8-SOIC(0.154,3.90mm宽)
供应商器件封装:8-SOICN
包装材料 :磁带和卷轴(TR)
包装:8SOIC
驱动器类型:高低
驱动程序配置:非反转
输出数:2.
最大工作电源电压:20伏
最低工作电源电压:10伏
峰值输出电流:0.36(典型)A
最大功率耗散:625兆瓦
输入逻辑相容性:CMOS | LSTL | 3.3V(最小值)| 5V | 15V
最大上升时间:170纳秒
最大开启延迟时间:50纳秒
最大下降时间:90纳秒
最大电源电流:0.27毫安
工作温度:-40至125摄氏度
安装:表面贴装
标准包装:磁带和卷轴
安装类型:表面贴装
配置数:1.
供应商设备封装:8-SOIC N
封装:磁带和卷轴(TR)
电压 - 电源:10V~20V
输入类型:非反转
高端电压 - 最大值(自启动):600V
封装/外壳:8-SOIC(0.154”,3.90mm宽)
配置:高侧和低侧,独立
电流 - 峰值:210毫安
延迟时间:160ns
RoHS指令:无铅/符合RoHS标准
其他名称:IR2101SPFDKR
工厂包装数量:2500
类型:高侧/低侧
最大关闭延迟时间:220纳秒
下降时间:50纳秒
产品:MOSFET栅极驱动器
最高工作温度:+ 125摄氏度
电源电压 - 最大:20伏
电源电压 - 最小:10伏
RoHS:符合RoHS标准
输出电流:0.36 A
驱动器数:2.
安装风格:SMD/SMT
输出电压:10伏至20伏
最低工作温度:- 40摄氏度
上升时间:100纳秒
电源电流:30 uA
输入逻辑电平:CMOS/LSTTL
功率耗散:0.625瓦
工作温度范围:-40摄氏度至125摄氏度
包装类型:SOIC
引脚数:8.
启动时间(最大值):50美元
传播延迟时间:220纳秒
工作温度分类:汽车的
关断延迟时间:50毫秒
弧度硬化:不
工作电源电压(最小值):10伏
工作电源电压(最大值):20伏
设备类型::IGBT,MOSFET
模块配置:高侧和低侧
最小电源电压:10V
最大电源电压:20V
驱动机箱样式::SOIC
引脚数::8
输入延迟:160ns
输出延迟:150ns
最低工作温度::-40°C
最高工作温度:125°C
MSL::MSL 2-1年
SVHC:无SVHC(2013年6月20日)
体重(kg):2.27
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