说明
IR2101(S)/IR2102(S)是高电压、高速功率的MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,降至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲器设计为最小的驱动器交叉传导的阶段。浮动通道可用于驱动n通道功率MOSFET或IGBT在高侧配置,工作高达600伏。
特征
•设计用于引导操作的浮动通道
完全运行至+600V
耐负瞬态电压
dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•欠压锁定
•3.3V、5V和15V逻辑输入兼容
•两个信道的匹配传播延迟
•输出与输入(IR2101)同步或不同步
带输入的相位(IR2102)
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