描述
STM32L412xx设备是基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC核心的超低功率微控制器,工作频率高达80 MHz。Cortex-M4核心具有浮点单元(FPU)单精度,支持所有Arm®单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个内存保护单元(MPU),从而提高了应用程序的安全性。
STM32L412xx设备嵌入高速内存(闪存128千节,40千节的SRAM),四SPI闪存接口(所有包)和广泛的增强I/操作和外围设备连接到两个APB总线,两个AHB总线和32位multi-AHB总线矩阵。
STM32L412xx设备嵌入了几种嵌入式闪存和SRAM的保护机制:读出保护、写保护、专有代码读出保护和防火墙。
该设备提供两个快速12位ADC(5 Msps),两个比较器,一个运算放大器,一个低功耗RTC,一个通用32位定时器,一个专门用于电机控制的16位PWM定时器,四个通用16位定时器,和两个16位低功率定时器。
此外,最多有12个电容式传感通道可用。
它们还具有标准和高级通信接口。
•三个I2C
•两个SPI
•三台USART和一台低功率UART。
•一个无水晶USB全速设备
STM32L412xx使用-40至+85°C(+105°C接头)和-40至+130°C接头),温度为1.71至3.6 V VDD电源,使用外部SMPS电源时为1.00至1.32V VDD12电源。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。
支持一些独立电源:ADC、OPAMP和比较器的模拟独立电源输入。一个VBAT输入允许备份RTC和备份寄存器。当连接到外部SMPS时,可使用专用的VDD12电源来绕过内部LDO调节器。
STM32L412xx系列提供6个从32到64针的包。
特征
•FlexPowerControl超低功耗
–1.71 V至3.6 V电源
–-40°C至85/125°C温度范围
–VBAT模式下300 nA:RTC和
32x32位备份寄存器
–16 nA关闭模式(4个唤醒引脚)
–32 nA待机模式(4个唤醒引脚)
–245 nA待机模式,带RTC
–0.7µA停止2模式,0.95µA带RTC
–79µA/MHz运行模式(LDO模式)
–28μA/MHz运行模式(@3.3 V SMPS模式)
–批量采集模式(BAM)
–从停止模式唤醒4µs
–断电复位(BOR)
–互连矩阵
•核心:Arm®32位Cortex®-M4 CPU,带FPU,
自适应实时加速器(ART accelerator™) 允许0-wait-state执行
闪存,频率高达80 MHz,
MPU、100DMIPS和DSP指令
•性能基准
–1.25 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)
–273.55 CoreMark®(3.42 CoreMark/MHz@80 MHz)
•能源基准
–442 ULPMark CP®
–165 ULPMark PP®
•时钟源
–4至48 MHz晶体振荡器
–用于RTC(LSE)的32 kHz晶体振荡器
–内部16 MHz工厂修整RC(±1%)
–内部低功率32 kHz RC(±5%)
–内部多速100 kHz至48 MHz
振荡器,由LSE自动微调(精度优于±0.25%)
–内置48 MHz时钟恢复
–系统时钟的PLL
•最多52个快速I/O,最多5个V级容错
•带有硬件日历、警报和校准的RTC
•最多12个电容传感通道:支持
触摸键、线性和旋转触摸传感器
•10x定时器:1x 16位高级电机控制,
1x 32位和2x 16位通用,1x 16-
基本位、2个低功耗16位定时器(在停止模式下可用)、2个监视器、SysTick定时器
•记忆
–128 KB单银行闪存,专有代码
读出保护
–40 KB SRAM,包括8 KB
硬件奇偶校验
–具有XIP的四SPI内存接口
能力
•丰富的模拟外围设备(独立供应)
–2x 12位ADC 5 Msps,最高16位
硬件过采样,200µA/Msps
–2个内置PGA的运算放大器
–1个超低功耗比较器
–精确2.5