描述
STM32H743xI设备是基于高性能的Arm®Cortex®-M7 32位RISC核心,工作频率高达400 MHz。Cortex®-M7核心具有浮点单元(FPU),支持Arm®双精度(IEEE 754兼容)和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H743xI设备支持一整套DSP指令和一个内存保护单元(MPU),以增强应用程序的安全性。
STM32H743xI设备将高速嵌入式内存与双银行闪存2兆字节,1兆字节的内存(包括192千字节的中医内存,864千字节的用户SRAM和4千字节的备份SRAM),以及广泛的增强I/操作和外围设备连接到APB总线,AHB总线,2x32位multi-AHB总线矩阵和多层AXI互连支持内部和外部内存访问。
所有的设备都提供三个adc,两个dac,两个超低功率比较器,一个低功率RTC,一个高分辨率计时器,12个通用16位计时器,两个用于电机控制的PWM计时器,5个低功率计时器和一个真正的随机数发生器(RNG)。该设备支持四个数字滤波器的外部信号调制器(DFSDM)。它们还具有标准的和先进的通信接口。
标准外围设备
–四个I2C
–四个USART、四个UART和一个LPUART
–六个SPI,三个I2S,处于半双工模式。为了实现音频类精度,I2S
外围设备可以由专用的内部音频PLL或外部
时钟以允许同步。
–四个SAI串行音频接口
–一个SPDIFRX接口
–一个SWPMI(单线协议主接口)
–管理数据输入/输出(MDIO)从属
–两个SDMMC接口
–USB OTG全速和USB OTG高速接口
能力(带ULPI)
–一个FDCAN加一个TT-CAN接口
–以太网接口
–Chrom ART加速器™
–HDMI-CEC
•高级外围设备,包括
–灵活的存储器控制(FMC)接口
–四路SPI闪存接口
–用于CMOS传感器的摄像头接口
–LCD-TFT显示控制器
–JPEG硬件压缩器/解压缩器
STM32H743xI设备工作在-40至+85°C温度范围内,从1.62到3.6 V电源。通过使用外部电源主管(见第3.5.2节:电源主管),并将PDR_ON引脚连接到VSS,电源电压可降至1.62 V。否则,在启用嵌入式电源电压检测器后,电源电压必须保持在1.71 V以上。
除LQFP100外,所有软件包上都提供了USB(OTG_FS和OTG_HS)的专用电源输入,以允许更大的电源选择。
一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。
STM32H743xI设备提供8个包,从100个针到240个针/球。包含的外围设备集随所选设备而变化。
这些功能使STM32H743xI微控制器适用于各种
应用:
•电机驱动和应用控制
•医疗设备
•工业应用:PLC、逆变器、断路器
•打印机和扫描仪
•报警系统、视频对讲和暖通空调
•家用音频设备
•移动应用程序、物联网
•可穿戴设备:智能手表。
特征
果心
•32位Arm®Cortex®-M7内核,具有双精度FPU和L1缓存:16 KB数据
和16K字节的指令缓存,允许
一次访问要填充一个缓存行
来自256位嵌入式闪存;
频率高达400 MHz,MPU,856 DMIPS/
2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP
说明书
回忆
•高达2兆字节的闪存,支持边读边写
•1 MB RAM:192 KB TCM RAM(股份有限公司。
64 KB的ITCM RAM+128 KB的
用于时间关键例程的DTCM RAM),
864千字节的用户SRAM和4千字节的
备份域中的SRAM
•双模Quad SPI存储器接口
运行频率高达133 MHz
•具有高达
32位数据总线:SRAM、PSRAM、,
SDRAM/LPSSDR SDRAM、NOR/NAND闪存
同步模式下时钟频率高达133 MHz
•CRC计算单元
安全
•ROP、PC-ROP、主动夯实机
通用输入/输出
•多达168个具有中断功能的I/O端口
–高达133 MHz的快速I/O
–最多164 5个V容错I/O
复位和电源管理
•3个独立的电源域,可以
独立时钟门控或关闭
最大限度地提高功率效率:
–D1:高性能能力
带宽外围设备
–D2:通信外围设备和定时器
–D3:复位/时钟控制/电源管理
•1.62至3.6 V应用电源和I/O
•POR、PDR、PVD和BOR
•嵌入3.3 V的专用USB电源
提供内部PHY的内部调节器
•嵌入式调节器(LDO),可配置
提供数字电路的可缩放输出
•运行和停止模式下的电压缩放(5
可配置范围)
•备用调节器(~0.9 V)
•模拟外围设备/VREF的参考电压+
•低功耗模式:睡眠、停止、待机和
支持电池充电的VBAT
低功耗
•总电流消耗降至4µA
时钟管理
•内部振荡器:64 MHz HSI,48 MHz
HSI48、4 MHz CSI、40 kHz LSI
•外部振荡器:4-48 MHz HSE,
32.768千赫LSE
•3个PLL(1个用于系统时钟,2个用于内核时钟)