AO3400A 场效应管(MOSFET) 原装现货
AO3400A
规格信息：
系列：AO
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package：SOT-23
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：5.7A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
规格信息：
系列：AO
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package：SOT-23
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：5.7A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs