MT41K256M16TW-107AIT:P FBGA-96 8x14 储存器 代理现货

功能性说明

   DDR3sdram采用双数据速率架构来实现高速操作。双数据速率架构是一种8n-预取架构，其接口设计用于每个时钟周期在I/O引针上传输两个数据字。DDR3sdram的读或写操作有效地包括在内部DRAM核心的单个8n位宽的四时钟周期数据传输和在I/O引针的8个对应的n位宽、半时钟周期数据传输

   差分数据频闪器(DQS，DQS#)与数据一起向外部传输，用于DDR3sdram输入接收器的数据捕获。DQS与作家的数据在中心对齐。读取数据由DDR3sdram传输，并边缘对齐到数据频闪。

   DDR3sdram从一个差动时钟(CKandCK#)开始工作。CKgoingHIGH和CK#变低的交叉称为CK的正边。控制、命令和地址信号被登记在CK的每一个正边。输入数据在写前导后DQS的第一个上升边上注册，输出数据在READ前导后DQS的第一个上升边上引用。

   对DDR3sdram的读取和写访问都是面向突发的。访问从选定的位置开始，并继续执行编程序列中的编程数个位置。访问从注册激活命令开始，然后是读或写命令。与激活命令一致的地址位用于选择要访问的银行和行。与READ或写命令一致注册的地址位用于选择突发访问的行和起始列位置。

  该设备使用读取和写入BL8和BC4。可以启用自动预充电功能，以提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。

  与标准的DDRsdram一样，DDR3sdram的流水线、多银行架构允许并发操作，从而通过隐藏行预电和激活时间来提供高带宽

  它还提供了一种自刷新模式，以及一种节能、下电模式。

 工业温度

    工业温度(IT)设备要求外壳温度不超过-40°C或95°C。JEDEC规范要求在TC超过85°C时刷新率翻倍；这还需要使用高温自刷新选项。此外，当TCis85°C时，ODT电阻和输入/输出阻抗必须降低。

 汽车温度

   汽车温度(AT)装置要求机箱温度不超过-40°C或105°C。JEDEC规范要求在TC超过85°C时刷新率翻倍；这还需要使用高温自刷新选项。此外，当TCis85°C时，ODT电阻和输入/输出阻抗必须降低。

超高温

   超高温(UT)设备要求机箱温度不超过-40°C或125°C。JEDEC规范要求当TC超过85°C时刷新率加倍；这还需要使用高温自动刷新选项。当Tc>+105C时，刷新率必须将刷新率提高到8X。Tc>+105不可用°C.此外，当TCis85时，必须降低ODT电阻和输入/输出阻抗°C.

描述

  DDR3Lsdram(1.35V)是DDR3(1.5V)sdram的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参阅DDR3(1.5V)sdram（模具Rev：E）数据表规范。

 特征

•VDD=VDDQ=1.35V（1.283-1.45V）

•向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V

–支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容

•差分双向数据选通

•8n位预取架构

•差分时钟输入（CK，CK#）

•8家内部银行

•标称和动态模上终端（ODT）

数据、选通和屏蔽信号

•可编程CAS（读取）延迟（CL）

•可编程CAS附加延迟（AL）

•可编程CAS（写入）延迟（CWL）

•固定爆破长度（BL）为8，爆破劈裂（BC）为4

（通过模式寄存器集[MRS]）

•可随时选择BC4或BL8（OTF）

•自刷新模式

•TC为-40°C至+125°C–64ms，-40°C至+85°C时8192次循环刷新–在+85°C至+105°C时32ms–在+105°C至+115°C时16ms–在+115°C至+125°C时8ms•自刷新温度（SRT）

•自动自刷新（ASR）

•写平衡

•多用途寄存器

•输出驱动器校准

•AEC-Q100

选项标记

•配置

-512兆欧x 8 512M8

-256兆欧x16 256M16

•FBGA包装（无铅）——

x8

–78个球（8mm x

10.5毫米）

爸爸

•FBGA包装（无铅）——

x16

-96球（8mm x 14mm）TW

•定时–循环时间

–1.07ns@CL=13

（DDR3-1866）

-107

•汽车A级——AEC-Q100

–PPAP提交

•工作温度

–工业（–40°C≤ 总费用≤

+（95摄氏度）

信息技术

–汽车温度（–40°C）≤ 总费用≤ +（105摄氏度）

在

–超高（–40°C≤ 总费用≤

+125°C）3

美国犹他州

•修订：P