MT41K64M16TW-107IT:J FBGA-96 储存器 镁光 原装现货
描述
DDR3sdram采用双数据速率架构来实现高速操作。双数据速率架构是一种8n-预取架构，其接口设计用于每个时钟周期在I/O引脚上传输两个数据字。针对DDR3sdram的单个读或写操作有效地包括在内部DRAM核心处的单个8n位宽、四时钟周期数据传输和在I/O引针处的8个相应的n位宽、一个半时钟周期数据传输。
差分数据频闪器(DQS，DQS#)与数据一起向外部传输，用于DDR3sdram输入接收机的数据捕获。DQS与作家的数据在中心对齐。读取数据由DDR3sdram传输，并边缘对齐到数据频闪。
DDR3sdram通过差动时钟(CK和CK#)工作。CK走高和CK#低的交叉被称为CK的正边。控制、命令和地址信号在CK的每个正边都有注册。输入数据在写前导后DQS的第一个上升边上注册，输出数据在READ前导后DQS的第一个上升边上引用。
对DDR3sdram的读取和写访问都是面向突发的。访问从选定的位置开始，并继续执行编程序列中的编程数个位置。访问从注册激活命令开始，然后是读或写命令。与激活命令一致的地址位用于选择要访问的行和行。与READ或写命令一致注册的地址位用于选择突发访问的行和起始列位置。
该设备使用一个读取和写入BL8和BC4。可以启用自动预充电功能，以提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。
与标准的DDRsdram一样，DDR3sdram的流水线、多银行架构允许并发操作，从而通过隐藏行预电和激活时间来提供高带宽。
它还提供了一种自刷新模式，以及一种节能、下电模式。
工业温度
工业温度(IT)设备要求外壳温度不超过-40°C或95°C。JEDEC规范要求在TC超过85°C时刷新率翻倍；这还需要使用高温自刷新选项。此外，当TC为95°C时，ODT电阻和输入/输出阻抗必须降低。
注意事项
•本数据表中讨论的功能和计时规范适用于
DLL启用操作模式（正常操作）。
•在本数据表中，各种图表和文本将DQ称为“DQ”DQ将成为
除非另有特别说明，否则解释为任何和所有DQ。
•本数据表中的术语“DQS”和“CK”应解释为：
除非另有特别说明，否则分别为DQS、DQS#和CK、CK#。
•完整的功能可在整个文件中描述；任何页面或文字都可能经过简化，以传达一个主题，可能不包括所有要求。
•任何特定要求优先于一般声明。
•任何未明确说明的功能都被视为未定义、非法、不受支持，并可能导致未知操作。
•行寻址表示为[n:0]。例如，1Gb:n=12（x16）；1Gb:n=13（x4，
x8）；2Gb:n=13（x16）和2Gb:n=14（x4，x8）；4Gb:n=14（x16）；4Gb:n=15（x4，
x8）。
•Dynamic ODT有一个特殊的用例：当DDR3设备被设计为在一个特定的环境中使用时
单列存储阵列，ODT球可以连接到高位，而不是路由。参考
到动态ODT特殊用例部分。
•x16设备的DQ总线由两个字节组成。如果只需要一个字节
使用时，使用较低字节进行数据传输，并按说明终止较高字节：
–通过1kΩ*电阻器将UDQ接地。
–通过1kΩ*电阻器将UDQ#连接至VDD。
–通过1kΩ*电阻器将UDM连接至VDD。
–将DQ[15:8]通过1kΩ电阻器*或浮子分别连接到VSS、VDD或VREF
DQ[15:8]。
*如果使用ODT，应将1kΩ电阻器更改为所选ODT的4倍。
特征
•VDD=VDDQ=+1.35V（1.283V至1.45V）
•向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V
•差分双向数据选通
•8n位预取架构
•差分时钟输入（CK，CK#）
•8家内部银行
•标称和动态模上终端（ODT）
用于数据、选通和屏蔽信号
•可编程CAS（读取）延迟（CL）
•可编程CAS附加延迟（AL）
•可编程CAS（写入）延迟（CWL）
•固定爆破长度（BL）为8，爆破劈裂（BC）为4
（通过模式寄存器集[MRS]）
•可随时选择BC4或BL8（OTF）
•自刷新模式
•温度为95°C
–64ms，8192次循环刷新至85°C
–32毫秒，8192次循环刷新，温度>85°C至95°C
•自刷新温度（SRT）
•自动自刷新（ASR）
•写平衡
•多用途寄存器
•输出驱动器校准
选项1标记
•配置
-256兆欧x4256M4
-128兆欧x 8 128M8
-64兆欧x16 64M16
•FBGA封装（无铅）–x4、x8
–78球FBGA（8mm x 11.5mm）版本。
G
太平绅士
–78球FBGA（8mm x 10.5mm）版本。杰达
•FBGA封装（无铅）–x16
-96球FBGA（8mm x 14mm）版本。G JT
-96球FBGA（8mm x 14mm）版本。J TW
•定时–循环时间
-1.07ns@CL=13（DDR3-1866）-107
-1.25ns@CL=11（DDR3-1600）-125
-1.5ns@CL=9（DDR3-1333）-15E
-1.87ns@CL=7（DDR3-1066）-187E
•工作温度
–商用（0°C≤ 总费用≤ +95°C）无
–工业（–40°C≤ 总费用≤ +95°C）它
•修订版：G/：J