MT48LC16M16A2P-6A:G TSOPII-54 存取存储器 镁光 价格优势

描述

      256Mb的sdram是一个高速CMOS，动态随机存取存储器，包含268,435,456位。它在内部配置为一个具有同步接口的四分组DRAM(所有信号都注册在时钟信号的正边缘，CLK)。x4的67,108,864位银行中的每一个都被组织为2048行和4位的8192行。每个x8的67,108,864位的银行被组织成8192行，1024列，8位。x16的67,108,864位银行中的每个银行都被组织为8192行，512列，16位。

     对sdram的读写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并在编程序列中继续进行编程数量的位置。访问从注册活动命令开始，然后是读或写命令。与活动命令一致注册的地址位用于选择要访问的行和行（BA[1：0]选择行；A[12：0]选择行）。与READ或写命令一致的地址位用于选择突发访问的起始列位置。

    sdram提供了可编程的读或写突发长度(BL)为1个、2个、4个或8个位置，或整个页，带有一个突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。

   这个256mb的sdram使用了一个内部的流水线架构来实现高速操作。该体系结构与预取体系结构的2n规则兼容，但它也允许在每个时钟周期中更改列地址，以实现高速、完全随机的访问。在访问其他三家银行中的一家银行时进行预收费，将隐藏预收费周期，并提供无缝、高速、随机接入操作。

   256Mb的sdram被设计为在3.3V内存系统中运行。它提供了一种自动刷新模式，以及一种节电、断电模式。所有的输入和输出都是与LVTTL兼容的。

   sdram设备提供了DRAM操作性能的重大进步，包括能够同步突发数据在高数据率自动列地址生成，能够交错内部银行隐藏预充电时间，和能力随机改变列地址在每个时钟周期在突发访问。

汽车温度

汽车温度（AAT）选项符合以下规格：
•16毫秒刷新率
•不支持自刷新
•环境温度和外壳温度不得低于-40°C或高于+105°C

特征

•PC100和PC133兼容

•完全同步；所有信号均呈阳性

系统时钟边缘

•内部流水线操作；列地址可以

每个时钟周期都会改变

•用于隐藏行访问/预充电的内部银行

•可编程突发长度：1、2、4、8或整页

•自动预充电，包括同时自动预充电

和自动刷新模式

•自刷新模式（AAT设备上不可用）

•自动刷新

–64ms，8192次循环（商业和工业）

–16ms，8192循环（汽车）

•LVTTL兼容的输入和输出

•单个3.3V±0.3V电源

•AEC-Q100

•PPAP提交

•8D响应时间

选项标记

•配置

–64兆欧x4（16兆欧x4×4组）64M4

–32兆欧x 8（8兆欧x 8 x 4组）32M8

-16兆欧x16（4兆欧x16×4组）16M16

•写恢复（t）

（西铁）

–t

WR=2 CLK A2

•塑料包装——OCPL1

–54针TSOP II OCPL1（400密耳）

（标准）

甘油三酯

选项标记

–54针TSOP II OCPL1（400密耳）

无铅

P

–60球FBGA（x4，x8）（8mm x 16mm）FB

-60球FBGA（x4，x8）（8mm x 16mm）

无铅

BB

–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）FG2

–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）

无铅

BG2

–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）F43

–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）

无铅

B43

•定时–循环时间

-6ns@CL=3（仅限x8、x16）-6A

-7.5ns@CL=3（PC133）-75

-7.5ns@CL=2（PC133）-7E

•自我刷新

–标准无

–低功耗L4

•工作温度范围

–工业（–40˚C至+85˚C）美国在台试验

–汽车（–40˚C至+105˚C）AAT4

•修订版：D/：G