MT29F32G08CBADBWPRDTR TSOP-48 存储器 镁光代理

说明

      美光NANDFlash设备包括一个用于高性能I/O操作的异步数据接口。这些设备使用一个高度多路复用的8位总线(DQx)来传输命令、地址和数据。有5个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。附加信号控制硬件写入保护（WP#）和监控设备状态（R/B#）。

     这个微米NAND闪存设备还包括一个用于高性能I/O操作的同步数据接口。当同步接口处于活动状态时，WE#变为CLK，RE#变为W/R#。数据传输包括一个双向数据频闪器(DQS)。

    这个硬件接口创建了一个低针计数设备，一个标准针形保持不变，从一个密度到另一个，使未来升级到更高的密度，不需要板重新设计。

    目标是由芯片启用信号访问的内存单元。一个目标包含一个或多个NAND闪模。NAND闪存模是能够独立执行命令和报告状态的最小单元。在ONFI规范中，NAND闪存芯片被称为逻辑单元(LUN)。有关进一步的详细信息，请参见设备和阵列组织组织。

特征

•开放NAND闪存接口（ONFI）2.3-符合性1

•多层单元（MLC）技术

•组织

–页面大小x8:8936字节（8192+744字节）

–块大小：256页（2048K+186K字节）

–平面尺寸：每个平面2个平面x 1064个块

–设备大小：32Gb:2128块；

64Gb:4156块；

•同步I/O性能

–高达同步定时模式4

–时钟频率：12纳秒（DDR）

–每个引脚的读/写吞吐量：166MT/s

•异步I/O性能

–高达异步定时模式5

–tRC/tWC:20ns（分钟）

–每个引脚的读/写吞吐量：50MT/s

•阵列性能

–阅读页面：100µs（最大值）

–程序页面：1300µs（典型）

–擦除块：3ms（典型）

•工作电压范围

–VCC:2.7–3.6V

-VCCQ:2.7-3.6V

•命令集：ONFI NAND闪存协议

•高级命令集

–程序缓存

–读缓存顺序

–随机读缓存

–一次性可编程（OTP）模式

–多平面命令

–多LUN操作

–读取唯一ID

–回写

–读取重试

–单电平单元（SLC）模式2

–用户不可选择的数据随机化2

•从工厂发货时，第一个区块（区块地址00h）有效。有关所需的最低ECC，请参阅

错误管理（第108页）

•电源接通后的第一个命令需要重置（FFh）

•运行状态字节提供用于

探测

–操作完成

–通过/失败条件

–写保护状态

•数据选通（DQS）信号提供了同步系统中同步数据DQ的硬件方法

界面

•平面内支持的回写操作

从中读取数据

•质量和可靠性3

–数据保留：符合JESD47；参见质量报告

–耐久性：3000个编程/擦除周期

•工作温度：

–商用：0°C至+70°C

•包装

–48针TSOP