说明Cypress S25FL127S设备是一种闪存非易失性存储器产品，使用： MirrorBit技术-在每个存储阵列晶体管中存储两个数据位 Eclipse体系结构—显著提高程序和擦除性能 65nm工艺光刻此设备通过串行外围设备接口(SPI)连接到主机系统。支持传统的SPI单位串行输入和输出（单I/O或SIO）以及可选的两位（双I/O或DIO）和四位（QuadI/O或QIO）串行命令。这个多宽接口称为SPI多I/O或MIO。Eclipse架构具有一个页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达128个字（256个字节)或256个字(512个字节），从而产生比上一代SPI程序或擦除算法的有效编程和擦除。直接从闪存执行代码通常被称为就地执行或XIP。通过在较高的时钟速率下使用FL-S设备，使用QIO命令，指令读取传输速率可以匹配或*过传统的并行接口、异步或闪存，同时显著减少信号计数。S25FL127S产品提供了高密度的产品，以及各种嵌入式应用程序所需的灵活性和**性能。它非常适合用于代码阴影、XIP和数据存储。特征 CMOS 3.0伏磁芯 密度–128兆字节（16兆字节） 具有多I/O的串行外围接口（SPI）–SPI时钟极性和相位模式0和3–扩展寻址：24位或32位地址选项–串行命令集和封装外形与兼容S25FL-A，S25FL-K和S25FL-P SPI系列–多I/O命令集和封装外形与兼容S25FL-P SPI系列 读取命令–普通、**、双路、四路–自动启动-通电或重置，并执行正常或在预选位置自动执行四元读取命令地址–用于配置的通用闪存接口（CFI）数据信息。 编程（0.8 Mbytes/s）–256字节或512字节页面编程缓冲区选项–用于慢时钟的四输入页编程（QPP）系统–自动ECC-内部硬件错误纠正代码单比特纠错生成 擦除（0.5 Mbytes/s）–混合扇区大小选项-十六个4-kbyte的物理集地址空间*部或底部的扇区，包含所有剩余的64 KB扇区–统一扇区选项-始终擦除256 KB的数据块软件与*高密度和未来的兼容性设备。 自行车耐力–每个扇区至少100000个程序擦除周期 数据保留–至少20年的数据保留期 安全特性–1024字节的一次性程序（OTP）阵列–块保护：–状态寄存器位，用于控制对故障的保护连续扇区范围的编程或擦除。–硬件和软件控制选项–**扇区保护（ASP）–单个扇区保护由引导代码或密码 柏树 使用Eclipse的65 nm镜像位技术 建筑学 电源电压：2.7V至3.6V 温度范围：–工业（-40°C至+85°C）–工业温度升高（-40°C至+105°C）–汽车AEC-Q100 3级（-40°C至+85°C）–汽车AEC-Q100 2级（-40°C至+105°C） 包装（全部无铅）–8芯SOIC（208密耳）–16芯SOIC（300密耳）–6 x 5毫米上的8触点传感器–BGA-24 6 x 8毫米–5 x 5球（FAB024）和4 x 6球（FAC024）占地面积选择权–已知良好模具和已知测试模具
