MT41K512M8DA-107 XIT:P TR 镁光 存储器 价格最低

描述

   DDR3Lsdram(1.35V)是DDR3(1.5V)sdram的低压版本。参考DDR3（1.5V）sdram（模具修订版。：E)在1.5V兼容模式下运行时的数据表规格。

特征
•VDD=VDDQ=1.35V（1.283-1.45V）

•向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V

–支持DDR3L设备向后兼容1.5V应用

•差分双向数据选通

•8n位预取架构

•差分时钟输入（CK，CK#）

•8家内部银行

•标称和动态模上终端（ODT）

用于数据、选通和屏蔽信号

•可编程CAS（读取）延迟（CL）

•可编程CAS附加延迟（AL）

•可编程CAS（写入）延迟（CWL）

•固定爆破长度（BL）为8，爆破劈裂（BC）为4

（通过模式寄存器集[MRS]）

•可随时选择BC4或BL8（OTF）

•自刷新模式

•温度为0°C至+95°C

-64ms，在0°C至+85°C的温度下进行8192次循环刷新

在+85°C至+95°C温度下-32ms

•自刷新温度（SRT）

•自动自刷新（ASR）

•写平衡

•多用途寄存器

•输出驱动器校准

选项标记

•配置

–1千兆×4 1G4

-512兆欧x 8 512M8

-256兆欧x16 256M16

•FBGA封装（无铅）-x4、x8

–78个球（8mm x 10.5mm）旋转。爸爸

•FBGA封装（无铅）–x16

–96个球（8mm x 14mm）旋转。P TW

•定时–循环时间

–938ps@CL=14（DDR3-2133）-093

-1.07ns@CL=13（DDR3-1866）-107

-1.25ns@CL=11（DDR3-1600）-125

•特殊选择

–优质生命周期产品（PLP）X

•工作温度

–商用（0°C≤ 总费用≤ +95°C）无

–工业（–40°C≤ 总费用≤ +95°C）它

•修订版P