STP24N60DM2 场效应管(MOSFET) 原装现货
STP24N60DM2
规格信息：
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:29 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:150 W
配置:Single
商标名:FDmesh
封装:Tube
系列:STP24N60DM2
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.7 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:60 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:330 mg
规格信息：
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:29 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:150 W
配置:Single
商标名:FDmesh
封装:Tube
系列:STP24N60DM2
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.7 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:60 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:330 mg