STP24N60DM2 TO-220-3 价格优势

描述 

    这些FDmeshII+™低Qg功率MOSFETs与固有的快速恢复体二极管生产使用新一代的MDmesh™技术：MDmeshII+™低Qg。这些革命性的电力模块将垂直结构与公司的带布局联系在一起，产生世界上最低电阻和门电荷之一。

      因此，它们适用于要求最高的高效转换器，以及理想的桥接拓扑和ZVS相移转换器。 n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+™低Qg功率MOSFETs在D2PAK，TO-220和TO-247软件包 

•极低的栅极电荷和输入 电容

 •与上一代相比，RDS（on）x区域更低 

•低栅极输入电阻 

•100%雪崩测试 

•齐纳保护 

•极高的dv/dt和雪崩 能力 

应用

 •交换应用