M25P32-VMW6TGTR SOIC-8 FLASH存储器 低价出售

功能性说明

     M25P80是一个8Mb(1Mbx8)串行闪存设备，具有高级写保护机制，通过高速spi兼容总线访问。该设备支持高达75兆赫的时钟频率。

     使用PAGE程序命令可以一次编程内存1到256字节。它被组织为16个部门，每个部门包含256页。每页都有256个字节宽。内存可以是4096页，也可以是1,048,576字节。可以使用BULK擦除命令擦除整个内存，也可以使用扇区擦除命令一次擦除一个扇区。

    本数据表详细介绍了基于110nm工艺的M25P80器件的功能。

特征

•SPI总线兼容串行接口

•8Mb闪存

•75 MHz时钟频率（最大）

•2.7V至3.6V单电源电压

•0.64ms（典型值）的页面程序（最多256字节）

•擦除功能

–扇区擦除：0.6秒512Kb（典型值）

–大容量擦除：8Mb 8秒（典型）

•写保护

–硬件写保护：保护区大小

由非易失性位BP0、BP1、BP2定义

•深度断电：1µA（典型值）

•电子签名

–JEDEC标准2字节签名（2014h）

–唯一ID代码（UID）和16字节的公共

闪存接口（CFI）数据

–RES命令，单字节签名（13h）用于

向后兼容性

•每个扇区的写入周期超过100000次

•超过20年的数据保留期

•提供汽车级零件

•包装（符合RoHS标准）

–SO8N（锰）150密耳

–SO8W（兆瓦）208密耳

–VFDFPN8（MP）MLP8 6mm x 5mm

–UFDFPN8（MC）MLP8 4mm x 3mm

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