MT48LC16M16A2BG-75IT:D VFBGA-54 随机存取内存 原装现货
说明
256Mb的sdram是一个高速CMOS，动态随机存取存储器，包含268,435,456位。它在内部配置为一个具有同步接口的四分组DRAM(所有信号都注册在时钟信号的正边缘，CLK)。x4的67,108,864位银行中的每一个都被组织为2048行和4位的8192行。每个x8的67,108,864位的银行被组织成8192行，1024列，8位。x16的67,108,864位银行中的每个银行都被组织为8192行，512列，16位。
对sdram的读写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并在编程序列中继续进行编程数量的位置。访问从注册活动命令开始，然后是读或写命令。与活动命令同时注册的地址位用于选择要访问的行和行（BA[1：0]选择行；A[12：0]选择该行）。与READ或写命令一致的地址位用于选择突发访问的起始列位置。
sdram提供了可编程的读或写突发长度(BL)为1个、2个、4个或8个位置，或整个页，带有一个突发终止选项。可以启用自动预充电功能来提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。
这个256mb的sdram使用了一个内部的流水线架构来实现高速操作。该体系结构与预取体系结构的2n规则兼容，但它也允许在每个时钟周期中更改列地址，以实现高速、完全随机的访问。在访问其他三家银行中的一家银行时进行预收费，将隐藏预收费周期，并提供无缝、高速、随机接入操作。
256Mb的sdram被设计为在3.3V内存系统中运行。它提供了一种自动刷新模式，以及一种节电、断电模式。所有的输入和输出都是与LVTTL兼容的。
SDRAM提供实质性的DRAM操作性能的进步，包括同步突发数据在高数据率自动列地址生成，能够交错内部银行之间隐藏预充电时间，能够随机改变列地址在每个时钟周期在突发访问。
汽车温度
汽车温度（AT）选项符合以下规格：
•16毫秒刷新率
•不支持自刷新
•环境温度和外壳温度不得低于-40°C或高于+105°C
特征
•PC100和PC133兼容
•完全同步；所有信号均呈阳性
系统时钟边缘
•内部管道操作；列地址可以
每个时钟周期都会改变
•用于隐藏行访问/预充电的内部银行
•可编程突发长度：1、2、4、8或整页
•自动预充电，包括同时自动预充电
和自动刷新模式
•自刷新模式（AT设备上不可用）
•自动刷新
–64ms，8192次循环刷新（商用和商用）
（工业）
–16ms，8192循环刷新（自动）
•LVTTL兼容的输入和输出
•单个3.3V±0.3V电源
选项标记
•配置
–64兆欧x4（16兆欧x4×4组）64M4
–32兆欧x 8（8兆欧x 8 x 4组）32M8
-16兆欧x16（4兆欧x16×4组）16M16
•写恢复（t）
（西铁）
–t
WR=2 CLK A2
•塑料包装——OCPL1
–54针TSOP II OCPL1（400密耳）
（标准）
甘油三酯
–54针TSOP II OCPL1（400密耳）
无铅
P
选项标记
–60球TFBGA（x4，x8）（8mm x
16毫米）
FB
–60球TFBGA（x4，x8）（8mm x
16mm）无铅
BB
–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）FG2
–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）
无铅
BG2
–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）F43
–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）
无铅
B43
•定时–循环时间
-6ns@CL=3（仅限x8、x16）-6A
-7.5ns@CL=3（PC133）-752
-7.5ns@CL=2（PC133）-7E
•自我刷新
–标准无
–低功耗L2，4
•工作温度范围
–商用（0˚C至+70˚C）无
–工业（–40˚C至+85˚C）IT
–4℃时的汽车温度（–40˚C至+105˚C）
•修订版：D/：G
注：1。偏离中心分模线。
2.仅适用于修订版D。
3.仅适用于修订版G。
4.联系美光公司以获取可用性。
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