MT40A1G16KD-062E DDR SDRAM 镁光 FBGA-96 代理现货
特征
•VDD=VDDQ=1.2V±60mV
•VPP=2.5V、-125mV、+250mV
•模上、内部、可调VREFDQ生成
•1.2V伪开漏输入/输出
•最高温度可达95°C
–64ms，8192次循环刷新至85°C
–32毫秒，8192次循环刷新，温度>85°C至95°C
•16家内部银行（x4、x8）：4组，每组4家银行
•8个内部银行（x16）：2组，每组4个银行
•8n位预取架构
•可编程数据选通前置码
•数据选通前序培训
•命令/地址延迟（CAL）
•多用途寄存器读写功能
•写平衡
•自刷新模式
•低功耗自动自刷新（LPASR）
•温度控制刷新（TCR）
•细粒度刷新
•自刷新中止
•最大程度的节能
•输出驱动器校准
•标称端接、驻车端接和动态端接
（ODT）
•数据总线反转（DBI）
•命令/地址（CA）奇偶校验
•数据总线写入循环冗余校验（CRC）
•每DRAM可寻址性
•连通性测试
•符合JEDEC JESD-79-4标准
•sPPR和hPPR能力
选项1
标记
•配置
–4千兆×4 4G4
–2 Gig x 8 2G8
–1 Gig x 16 1G16
•78球FBGA封装（无铅）–x4，x8
-10mm x 11mm–修订版。B弗吉尼亚州
-9mm x 11mm–修订版。E JC
•96球FBGA封装（无铅）–x16
-10mm x 13mm–修订版。B RC
-9mm x 13mm–修订版。E KD
•定时–循环时间
-0.625ns@CL=22（DDR4-3200）-062E
-0.682ns@CL=21（DDR4-2933）-068
•工作温度
–商用（0°ื 总费用ื 95°C）无
–工业（–40°ื 总费用ื 95°C）它
•修订版：B，：E
•VDD=VDDQ=1.2V±60mV
•VPP=2.5V、-125mV、+250mV
•模上、内部、可调VREFDQ生成
•1.2V伪开漏输入/输出
•最高温度可达95°C
–64ms，8192次循环刷新至85°C
–32毫秒，8192次循环刷新，温度>85°C至95°C
•16家内部银行（x4、x8）：4组，每组4家银行
•8个内部银行（x16）：2组，每组4个银行
•8n位预取架构
•可编程数据选通前置码
•数据选通前序培训
•命令/地址延迟（CAL）
•多用途寄存器读写功能
•写平衡
•自刷新模式
•低功耗自动自刷新（LPASR）
•温度控制刷新（TCR）
•细粒度刷新
•自刷新中止
•最大程度的节能
•输出驱动器校准
•标称端接、驻车端接和动态端接
（ODT）
•数据总线反转（DBI）
•命令/地址（CA）奇偶校验
•数据总线写入循环冗余校验（CRC）
•每DRAM可寻址性
•连通性测试
•符合JEDEC JESD-79-4标准
•sPPR和hPPR能力
选项1
标记
•配置
–4千兆×4 4G4
–2 Gig x 8 2G8
–1 Gig x 16 1G16
•78球FBGA封装（无铅）–x4，x8
-10mm x 11mm–修订版。B弗吉尼亚州
-9mm x 11mm–修订版。E JC
•96球FBGA封装（无铅）–x16
-10mm x 13mm–修订版。B RC
-9mm x 13mm–修订版。E KD
•定时–循环时间
-0.625ns@CL=22（DDR4-3200）-062E
-0.682ns@CL=21（DDR4-2933）-068
•工作温度
–商用（0°ื 总费用ื 95°C）无
–工业（–40°ื 总费用ื 95°C）它
•修订版：B，：E