MT29F1G08ABADAWP-IT:D 镁光 存储器 价格优势

说明

   美光NANDFlash设备包括一个用于高性能I/O操作的异步数据接口。这些设备使用一个高度多路复用的8位总线(I/Ox)来传输命令、地址和数据。有5个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。附加信号控制硬件写入保护和监控设备状态（R/B#）。

   这个硬件接口创建了一个低针形计数的设备，与一个标准的针形输出，保持不变，从一个密度到另一个密度，使未来升级到更高的密度，没有板重新设计。

   目标是由芯片启用信号访问的存储器单元。一个目标包含一个或多个NAND闪模。NAND闪存芯片是能够独立执行命令和报告状态的最小单元。在ONFI规范中，NAND闪存芯片被称为逻辑单元(LUN)。每个芯片使能信号中至少有一个NAND闪存模。

特征
•开放式NAND闪存接口（ONFI）1.0兼容1•单级单元（SLC）技术
•组织
–页面大小x8:2112字节（2048+64字节）
–页面大小x16:1056字（1024+32字）
–块大小：64页（128K+4K字节）
–设备大小：1Gb:1024块
•异步I/O性能
–tRC/tWC:20ns（3.3V），25ns（1.8V）
•阵列性能
–读取页面：25µs3–程序页面：200µs（典型值、3.3V和1.8V）3–擦除块：700µs（典型值）
•命令集：ONFI NAND闪存协议
•高级命令集
–程序页缓存模式5–读取页缓存模式5–一次性可编程（OTP）模式
–读取唯一ID
–内部数据移动
•运行状态字节提供用于
探测
–操作完成
–通过/失败条件
–写保护状态
•系统内支持的内部数据移动操作
从中读取数据的设备
•就绪/忙碌（R/B）信号提供硬件
检测操作完成的方法
•WP#信号：写保护整个设备

•第一个区块（区块地址00h）在从带有ECC的工厂发货时有效。最低要求

ECC，请参阅错误管理。

•如果编程/擦除周期小于1000，块0需要1位ECC

•通电后的第一个命令需要重置（FFh）

•通电后的备用设备初始化方法（it中的NandU）

（联系工厂）

•质量和可靠性

–数据保留期：10年

•工作电压范围

–VCC:2.7–3.6V

–VCC:1.7–1.95V

•工作温度：

–商用：0°C至+70°C

-延长（ET）：-40ºC至+85ºC

•包装

–48针TSOP 1型，CPL2–63球VFBGA