MT29F2G01ABAGDWB-IT:G 镁光 存储器 原装现货

描述

   串行外设接口(SPI)NAND是一种SLCNAND闪存设备，提供一种经济有效的非易失性存储解决方案，其中针脚数必须保持在最低限度。它也是SPINOR的替代解决方案，提供了比SPINOR更好的写入性能和每位成本。硬件接口创建了一个低针数设备与一个标准针数设备，保持不变，从一个密度到另一个密度，并支持未来升级到更高的密度，而不重新设计板。

    串行电气接口遵循行业标准的串行外围设备接口。为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。该命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定的功能和其他新特性。

     新功能包括用户可选择的内部ECC和第一页自动加载启动。SPINAND闪存设备有6个信号线加上VCC和接地(GND)。信号线为SCK（串行时钟）、SI、SO（用于命令/响应和数据输入/输出）和控制信号CS、HOLD#、WP#。这个硬件接口创建了一个低针计数设备，与一个标准针形保持不变，从一个密度到另一个，支持未来升级到更高的密度，而不重新设计板。

    串行NAND闪存设备的每个块被分为64个可编程页，每页由2176个字节组成。每个页面被进一步划分为一个2048字节的数据存储区域和一个128字节的备用区域。128字节的区域通常用于内存和错误管理功能。

    开机后默认启用内部ECC，当页面写入内存核心时，会在内部生成ECC代码。ECC代码存储在每个页面的备用区域中。当页面读取到缓存寄存器时，再次计算ECC代码，并与存储的值进行比较。如有必要，可纠正错误。设备输出校正后的数据或返回ECC错误状态。内部ECC可以在设备初始化后配置关闭。如果ECC需要断电，请联系美光代表。

   前八个块在从工厂发货时有效。安全功能还提供，包括软件块保护：锁紧和硬件保护模式，避免阵列数据损坏。

   特征

•单级电池（SLC）技术

•2Gb密度

•组织

–页面大小x1:2176字节（2048+128字节）

–块大小：64页（128K+8K字节）

–平面尺寸：2Gb（2个平面，每个平面1024个块）

•标准和扩展SPI兼容串行总线

界面

–1针上的说明和地址；1号、2号或3号上的数据

4针

–1针上的说明；地址，2号或4号的数据

别针

–1针上的说明和地址；在1或4上输入数据

别针

•支持用户选择的内部ECC

–8位/扇区

•阵列性能

–133 MHz时钟频率（最大值）

–页面内容：芯片ECC禁用时，最大25µs；

70µs（最大值）且已启用片上ECC

-页面程序：200µs（典型值），带上模ECC disa，带出血；220µs（典型值）且已启用管芯ECC

–块擦除：2ms（典型）

•高级功能

–读取页面缓存模式

–读取唯一ID

–读取参数页面

•设备初始化

–通电后自动设备初始化

•安全

-模块7:0在出厂时有效

启用ECC时

–带锁寄存器的软件写保护

–冻结BP位的硬件写保护

–在一次通电周期内，锁定以冻结BP位

•永久封锁保护

–OTP空间：10页一次性可编程

NAND闪存区

•工作电压范围

–VCC=2.7–3.6V

•工作温度

–工业温度：–40°C至+85°C

•质量和可靠性

–耐久性：100000个编程/擦除周期

–数据保留：符合JESD47H标准；参见质量报告

–附加：非周期数据保留：10年

85°C时24/7

•包装

-16针SOP，300密耳（包装代码：SF）

–8针U-PDFN，8mm x 6mm x 0.65mm（MLP8）

（包装代码：WB）

–24球T-PBGA，05/6mm x 8mm（5 x 5阵列）

（包装代码：12）