MT29F2G08ABAEAH4-IT:E 镁光 存储器 低价出售

描述

     美光NANDFlash设备包括一个用于高性能I/O操作的异步数据接口。这些设备使用一个高度多路复用的8位总线(I/Ox)来传输命令、地址和数据。有5个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。附加信号控制硬件写入保护和监控设备状态（R/B#）。

    这个硬件接口创建了一个低针计数设备，与一个标准针形保持不变，从一个密度到另一个，使未来升级到更高的密度，没有板重新设计。

    目标是由芯片启用信号访问的存储器单元。一个目标包含一个或多个NAND闪模。NAND闪存模是能够独立执行命令和报告状态的最小单元。在ONFI规范中，NAND闪存芯片被称为逻辑单元(LUN)。每个芯片使能信号中至少有一个NAND闪存模。有关进一步的详细信息，请参见设备和阵列组织组织。

   该设备有一个内部的4位ECC，可以使用GET/SET特性来启用。有关更多信息，请参见ECC的内部ECC和备用区域映射。

特征

•开放NAND闪存接口（ONFI）1.0兼容1

•单级电池（SLC）技术

•组织

–页面大小x8:2112字节（2048+64字节）

–页面大小x16:1056字（1024+32字）

–块大小：64页（128K+4K字节）

–平面尺寸：每个平面2个平面x 1024块

–设备大小：2Gb:2048块

•异步I/O性能

–tRC/tWC:20ns（3.3V），25ns（1.8V）

•阵列性能

–阅读第页：25µs 3

–程序页：200微秒（典型值：1.8V，3.3V）3

–擦除块：700µs（典型值）

•命令集：ONFI NAND闪存协议

•高级命令集

–程序页缓存模式4

–读取页面缓存模式4

–一次性可编程（OTP）模式

–两个平面命令4

–交错管芯（LUN）操作

–读取唯一ID

–闭锁（仅1.8V）

–内部数据移动

•运行状态字节提供用于

探测

–操作完成

–通过/失败条件

–写保护状态

•就绪/忙碌（R/B）信号提供硬件

检测操作完成的方法

•WP#信号：写保护整个设备

•第一个区块（区块地址00h）在从带有ECC的工厂发货时有效。最低要求

ECC，请参阅错误管理。

•如果编程/擦除周期小于1000，块0需要1位ECC

•电源接通后的第一个命令需要重置（FFh）

•通电后设备初始化的替代方法（与工厂联系）

•系统内支持的内部数据移动操作

从中读取数据的平面

•质量和可靠性

–数据保留期：10年

–耐久性：100000个编程/擦除周期

•工作电压范围

–VCC:2.7–3.6V

–VCC:1.7–1.95V

•工作温度

–商用：0°C至+70°C

-工业（IT）：-40ºC至+85ºC

-汽车工业（AIT）：-40°C至+85°C

–汽车（AT）：-40°C至+105°C

-汽车认证（AAT）：-40°C至+105°C

•包装

–48针TSOP类型1，CPL2

–63球VFBGA