MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C 镁光 存取存储器 原装代理

描述

    2Gb移动低功耗DDR SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含2147483648位。它在内部配置为一个四组德拉姆。x16的536870912位组中的每一个都被组织为16384行、2048列、16位。x32的536870912位存储组中的每一个都按1024列乘以32位。

特征

•VDD/VDDQ=1.70–1.95V

•每字节数据的双向数据选通（DQS）

•内部流水线双数据速率（DDR）

建筑学每个时钟周期两次数据访问

•差分时钟输入（CK和CK#）

•在每个正面边缘输入的命令

•DQS边缘与读取数据对齐；居中与写入数据对齐

•4家内部银行同时运营

•用于屏蔽写入数据的数据屏蔽（DM）；一个面具

每字节

•可编程突发长度（BL）：2、4、8或16

•支持同时自动预充电选项

•自动刷新和自刷新模式

•1.8V LVCMOS兼容输入

•温度补偿自刷新（TCSR）2

•部分阵列自刷新（PASR）

•深度断电（DPD）

•状态读取寄存器（SRR）

•可选输出驱动强度（DS）

•时钟停止功能

•64ms刷新；汽车温度为32ms

范围

选项标记

•VDD/VDDQ

–1.8V/1.8V H

•配置

-128兆欧x16（32兆欧x16×4组）128M16

–64兆欧x 32（16兆欧x 32 x 4组）64M32

•解决

–JEDEC标准LF

•塑料“绿色”包装

–60球VFBGA（8mm x 9mm）DD

–90球VFBGA（8mm x 13mm）BQ

•定时–循环时间

-4.8ns@CL=3（208 MHz）-48

•特殊选择

–汽车（组件级老化）A

•工作温度范围

–从-40摄氏度到+85摄氏度

温度从-40摄氏度到+105摄氏度

•设计修订：C