MT41K128M16JT-125:k 镁光 存储器 假一赔房
描述
1.35VDDR3Lsdram设备是1.5VDDR3sdram设备的低压版本。除非另有说明，DDR3Lsdram设备符合位于www.micron.com上的同等密度标准或汽车DDR3sdram数据表中列出的功能和定时规格。
特征
•VDD=VDDQ=1.35V（1.283-1.45V）
•向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V
•差分双向数据选通
•8n位预取架构
•差分时钟输入（CK，CK#）
•8家内部银行
•标称和动态模上终端（ODT）
用于数据、选通和屏蔽信号
•可编程CAS（读取）延迟（CL）
•可编程CAS附加延迟（AL）
•可编程CAS（写入）延迟（CWL）
•固定爆破长度（BL）为8，爆破劈裂（BC）为4
（通过模式寄存器集[MRS]）
•可随时选择BC4或BL8（OTF）
•自刷新模式
•温度为0°C至+95°C
-64ms，在0°C至+85°C的温度下进行8192次循环刷新
在+85°C至+95°C温度下-32ms
•自刷新温度（SRT）
•自动自刷新（ASR）
•写平衡
•多用途寄存器
•输出驱动器校准
选项标记
•配置
-512兆欧x4512m4
-256兆欧x 8 256M8
-128兆欧x16 128M16
•FBGA封装（无铅）-x4、x8
–78个球（8毫米x 10.5毫米）
牧师。H、 M，K
爸爸
–78球FBGA（9mm x 11.5mm）
牧师。D
HX
•FBGA封装（无铅）–x16
-96球FBGA（9mm x 14mm）
牧师。D
哈
-96球FBGA（8mm x 14mm）
牧师。K
JT
•定时–循环时间
-1.071ns@CL=13（DDR3-1866）-107
-1.25ns@CL=11（DDR3-1600）-125
-1.5ns@CL=9（DDR3-1333）-15E
–1.875ns@CL=7（DDR3-1066）-187E
•工作温度
–商用（0°C≤ 总费用≤ +95°C）无
–工业（–40°C≤ 总费用≤ +95°C）它
•修订版：D/：H/：K/：M